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三維壓電偏擺臺(tái)用于晶圓表面檢測

更新時(shí)間: 2020-09-07

半導(dǎo)體工業(yè)對(duì)于晶圓表面缺陷檢測的要求,一般是要求高效準(zhǔn)確,能夠捕捉有效缺陷,實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)檢測。將晶圓放于精密光學(xué)平臺(tái)上,選擇合適的入射光照射于晶圓表面,晶圓隨光學(xué)平臺(tái)及旋轉(zhuǎn)托盤而運(yùn)動(dòng),完成表面的掃描。再通過CCD等收集反射光,得到晶圓表面圖像,傳到計(jì)算機(jī),從而檢測晶圓表面的缺陷。

芯明天高精度P51壓電偏轉(zhuǎn)/掃描臺(tái)可以實(shí)現(xiàn)θx,θy方向偏轉(zhuǎn)及Z向升降,因其分辨率高、重復(fù)定位精度高、響應(yīng)速度快等特點(diǎn)非常適于晶圓檢測,即可用于調(diào)節(jié)光路,又可調(diào)節(jié)晶圓樣品的觀測視角,大大提高了晶圓檢測的精度。

P51系列壓電偏轉(zhuǎn)臺(tái)為θx、θy 軸偏擺Z 軸升降臺(tái),偏轉(zhuǎn)行程為±1.1mrad,Z軸直線行程可達(dá)100μm。臺(tái)體采用無回差柔性鉸鏈導(dǎo)向結(jié)構(gòu),采用有限元分析進(jìn)行優(yōu)化,具有超高的剛度以及導(dǎo)向精度。

產(chǎn)品特性

運(yùn)動(dòng)自由度:θx、θy、Z

直線行程100μm@150V

偏擺角度:±1.1mrad/軸@150V

直線分辨率可達(dá)4nm

偏擺分辨率可達(dá)0.05μrad

通孔尺寸:80×80mm

承載可達(dá)1kg

仿真分析

通過有限元FEA 優(yōu)化的鉸鏈用于導(dǎo)向機(jī)構(gòu)偏轉(zhuǎn)臺(tái)。有限元分析技術(shù)用于設(shè)計(jì)運(yùn)動(dòng)方向上的剛度,并減少角度偏差。鉸鏈部分允許*精度的運(yùn)動(dòng),因?yàn)殂q鏈機(jī)構(gòu)無間隙、無摩擦。

帶載階躍時(shí)間

P51.ZT1S壓電偏擺臺(tái)配套E01.D3壓電控制器,加載240g負(fù)載達(dá)滿行程的階躍時(shí)間約50ms,加載500g 負(fù)載達(dá)滿行程的階躍時(shí)間約100ms。

 

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